Samsung được cho là áp dụng giải pháp 3nm của TSMC cho HBM của Nvidia: Liệu SK Hynix và Micron có theo chân?

TradingKey - Vào ngày 18/10 theo giờ ET, xuất hiện các báo cáo về thỏa thuận chuỗi cung ứng mới của Nvidia (NVDA) đối với bộ nhớ băng thông cao (HBM) tùy chỉnh thế hệ tiếp theo.

Theo tờ Seoul Economic Daily của Hàn Quốc, Samsung Electronics có thể sử dụng tiến trình 3nm của TSMC (TSM) để sản xuất đế chip (base die) cho HBM tùy chỉnh của Nvidia. Reuters sau đó cũng đã đăng lại thông tin này.

Báo cáo cho biết Nvidia cũng đã đưa ra các yêu cầu tương tự tới Samsung, SK Hynix (SKHY), và Micron Technology (MU), nhiều khả năng kỳ vọng cả ba nhà cung cấp này sẽ sử dụng tiến trình của TSMC để sản xuất đế chip (base die) cho NVHBM và các tiến trình DRAM thế hệ tiếp theo cho nhân chip (core die).

Hiện tại, Nvidia, Samsung, SK Hynix, Micron Technology và TSMC vẫn chưa chính thức xác nhận các thỏa thuận sản xuất cụ thể, đồng thời khối lượng đơn hàng, tỷ lệ cung ứng hay tiến trình sản xuất hàng loạt cũng chưa được công bố.

NVHBM khác biệt như thế nào so với HBM tiêu chuẩn?

Nvidia đã công bố nền tảng NVLink Fusion cho hạ tầng AI bán tùy chỉnh. Reuters dẫn các báo cáo từ truyền thông Hàn Quốc cho biết Nvidia đã ra mắt một giải pháp HBM tùy chỉnh có tên NVHBM vào tháng 8.

Không giống như HBM tiêu chuẩn, NVHBM được cho là tích hợp bộ điều khiển bộ nhớ tùy chỉnh của Nvidia vào đế cơ sở (base die). Đế cơ sở thường đảm nhận việc điều khiển logic, kết nối giao diện và quản lý bộ nhớ, trong khi đế lõi (core die) chủ yếu xử lý việc lưu trữ dữ liệu.

Thiết kế này được kỳ vọng sẽ cho phép Nvidia thống nhất các giao diện sản phẩm và tiêu chuẩn kiểm định giữa các nhà cung cấp khác nhau, giúp giảm bớt công đoạn thích ứng sản phẩm và nâng cao tính khả thi của việc tìm kiếm nguồn cung từ nhiều nhà cung cấp.

Theo các báo cáo, mục tiêu thiết kế của NVHBM còn bao gồm tăng băng thông bộ nhớ, giảm tiêu thụ điện năng và cải thiện hiệu suất sử dụng không gian XPU. Kết quả cuối cùng vẫn sẽ phụ thuộc vào thiết kế chip, quy trình sản xuất, đóng gói, tỷ lệ thành phẩm và sự phê duyệt từ khách hàng.

Vì sao Samsung có thể áp dụng công nghệ tiến trình của TSMC

Nếu các thông tin này là chính xác, Samsung sẽ sử dụng tiến trình 3 nanomet của TSMC để sản xuất đế chip (base die) cho một dự án HBM cụ thể của Nvidia, thay vì phụ thuộc hoàn toàn vào công suất gia công của chính mình. Điều này có thể liên quan đến mong muốn của Nvidia trong việc chuẩn hóa các giải pháp đế chip và tinh gọn quy trình tích hợp nhà cung cấp.

Thỏa thuận này chỉ liên quan đến các dự án tùy chỉnh cụ thể và không đại diện cho sự chuyển dịch hoàn toàn trong mô hình sản xuất của Samsung. Các báo cáo cho biết Samsung vẫn có kế hoạch duy trì hệ thống sản xuất nội bộ đối với HBM tiêu chuẩn và các sản phẩm tùy chỉnh cho những khách hàng khác, mặc dù thông tin này chưa được Samsung xác nhận chính thức.

Đối với Samsung, việc áp dụng tiến trình của TSMC có thể giúp đáp ứng các yêu cầu kỹ thuật của Nvidia và giành được các đơn hàng HBM tùy chỉnh thế hệ tiếp theo. Tuy nhiên, liệu giải pháp này có chuyển hóa thành nguồn cung thực tế hay không vẫn đòi hỏi quá trình kiểm tra xác minh thiết kế, chứng nhận tiến trình, cải thiện tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn và tăng tốc sản xuất quy mô lớn.

Liệu SK Hynix và Micron có áp dụng cùng một cách tiếp cận?

Hiện tại, chưa có thông tin công khai nào cho thấy SK Hynix và Micron Technology đã chấp nhận kế hoạch sản xuất base die của TSMC. Các báo cáo chỉ cho biết Nvidia đã đưa ra yêu cầu tương tự tới ba nhà cung cấp HBM lớn.

Ngay cả khi cả ba công ty áp dụng thiết kế base die tương đối chuẩn hóa, sự khác biệt giữa các nhà cung cấp vẫn sẽ được phản ánh qua công nghệ tiến trình core die, kỹ thuật xếp chồng HBM, đóng gói tiên tiến, tỷ lệ sản lượng đạt yêu cầu, công suất sản xuất và độ ổn định giao hàng.

Đối với SK Hynix, NVHBM có thể mang lại các đơn hàng bộ nhớ tùy chỉnh mới, nhưng cũng yêu cầu các sản phẩm của hãng phải tuân thủ các tiêu chuẩn thiết kế của Nvidia. Việc Micron Technology có giành được các đơn hàng liên quan hay không sẽ phụ thuộc vào việc thẩm định của khách hàng, phân bổ công suất, hiệu suất sản phẩm và định giá.

Hiện tại, vẫn chưa rõ liệu hai công ty này có áp dụng phương án sản xuất tương tự như Samsung hay không.

Điều này có ý nghĩa gì đối với NVDA, Samsung và TSMC?

Đối với Nvidia, một giải pháp NVHBM thống nhất có thể mở rộng các nguồn cung đạt chuẩn, giảm sự phụ thuộc vào một nhà cung cấp bộ nhớ duy nhất và thúc đẩy việc hợp tác thiết kế các nền tảng HBM và XPU tùy chỉnh. Việc điều này có chuyển hóa thành các đợt giao hàng thực tế hay không vẫn phụ thuộc vào quá trình thẩm định nhà cung cấp, phân bổ đơn hàng và tiến độ sản xuất quy mô lớn.

Đối với Samsung, SK Hynix và Micron, NVHBM mang lại cơ hội nhận các đơn hàng bộ nhớ cao cấp tiềm năng, đồng thời đặt ra yêu cầu cao hơn về thông số kỹ thuật sản phẩm, hiệu suất sản xuất và năng lực giao hàng.

Đối với TSMC, nếu tiến trình 3nm của hãng cuối cùng được áp dụng cho NVHBM Base Die, phạm vi ứng dụng của các tiến trình logic tiên tiến trong bộ nhớ AI có thể được mở rộng. Tuy nhiên, hiện chưa có bằng chứng nào cho thấy TSMC đã giành được các đơn hàng chính thức và đóng góp doanh thu liên quan hiện chưa thể định lượng.

Trong thời gian tới, các yếu tố then chốt cần theo dõi bao gồm việc liệu ba nhà sản xuất bộ nhớ có xác nhận các giải pháp cung ứng hay không, tiến độ thẩm định từ khách hàng và sản xuất quy mô lớn đối với NVHBM, cũng như liệu Nvidia có công bố các nhà cung cấp cụ thể, khối lượng đơn hàng và phân bổ nguồn cung hay không.