SK Hynix tăng hơn 8% nhờ đẩy nhanh chuyển đổi tiến trình DRAM 1c, dự kiến trở thành dòng sản phẩm chủ lực vào Q1 năm sau

TradingKey - Trong phiên giao dịch châu Á ngày 7/9, cổ phiếu SK Hynix chốt phiên tăng 8,26% lên mức 1,783 triệu won Hàn Quốc (khoảng 1.324,58 USD). Trong khi đó, tiến trình chuyển đổi sang các tiến trình DRAM tiên tiến của công ty cũng thu hút sự chú ý của thị trường.

[Nguồn: TradingView]

Theo cơ quan truyền thông Hàn Quốc ChosunBiz dẫn các nguồn tin trong ngành, SK Hynix đang nhanh chóng gia tăng tỷ trọng công suất sản xuất của tiến trình 1c nm, công nghệ DRAM phân khúc 10nm thế hệ thứ sáu.

[Nguồn: ChosunBiz]

Các ước tính trong ngành chỉ ra rằng tỷ trọng DRAM 1c trong tổng công suất DRAM của công ty đã tăng từ khoảng 10% trong quý 1 năm nay lên khoảng 13% trong quý 2, và dự kiến sẽ tăng lên khoảng 24% trong quý 3 và đạt khoảng 34% trong quý 4. Đến quý 1 năm 2027, tỷ trọng 1c dự kiến sẽ tiếp tục tăng lên khoảng 35%, lần đầu tiên vượt qua tiến trình 1b (dự kiến đạt khoảng 33% tại thời điểm đó) để trở thành tiến trình DRAM lớn nhất của SK Hynix.

Trong khi đó, tỷ trọng DRAM 1b được dự báo đã đạt đỉnh ở mức khoảng 43% trong quý 2 năm nay và sẽ giảm dần khi quá trình chuyển đổi sang 1c tăng tốc. SK Hynix trước đó đã xác nhận trong cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý 2 rằng các sản phẩm DRAM sử dụng tiến trình 1c đã chính thức bắt đầu được giao hàng từ quý 2.

HBM là lĩnh vực ứng dụng then chốt cho đợt chuyển đổi tiến trình này. SK Hynix tiếp tục sử dụng DRAM 1b đã trưởng thành trong HBM4 để đảm bảo tính ổn định trong sản xuất quy mô lớn, trong khi HBM4E thế hệ tiếp theo sẽ lần đầu tiên áp dụng DRAM 1c làm chip lõi.

Trong cuộc họp công bố kết quả kinh doanh vào tháng 4 năm nay, công ty cho biết họ có kế hoạch cung cấp các mẫu HBM4E vào nửa cuối năm 2026 và hướng tới sản xuất quy mô lớn vào năm 2027. Tiến độ thực tế phù hợp với kỳ vọng; vào ngày 18 tháng 6, SK Hynix thông báo rằng họ đã giao các mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng lớn. Sản phẩm đạt tốc độ truyền tải đỉnh là 16 Gbps/chân, với hiệu suất năng lượng được cải thiện hơn 20% so với thế hệ trước.

Xét từ góc độ so sánh trong ngành, theo các ước tính trong ngành do ChosunBiz trích dẫn, tính đến cuối quý 2 năm nay, tỷ trọng DRAM 1c của Samsung Electronics và Micron (MU) lần lượt đứng ở mức khoảng 16% và 19% công suất DRAM tương ứng của họ, cao hơn mức khoảng 13% của SK Hynix trong cùng kỳ.

Tuy nhiên, SK Hynix đang tăng tốc quá trình chuyển đổi tiến trình 1c trong nửa cuối năm. Báo cáo dự báo đến quý 4, tỷ trọng 1c của SK Hynix dự kiến sẽ đạt khoảng 34%, vượt qua mức khoảng 31% của Samsung Electronics trong cùng kỳ.

Với tỷ trọng DRAM 1c ngày càng tăng và nguồn cung sản phẩm giá trị gia tăng cao như máy chủ, AI và HBM được mở rộng, sản lượng bit tăng thêm trên mỗi phiến silicon nhờ các tiến trình tiên tiến hơn dự kiến sẽ nâng cao khả năng cạnh tranh về chi phí và cải thiện cấu trúc biên lợi nhuận.

SK Hynix dự kiến rằng với việc mở rộng công suất HBM4 trong nửa cuối năm và gia tăng lượng giao hàng DRAM thông dụng dựa trên tiến trình 1c, tốc độ tăng trưởng bit của hãng trong nửa cuối năm sẽ cao hơn so với nửa đầu năm.

Theo các dự báo hiện tại của ngành, 1c dự kiến sẽ trở thành tiến trình sản xuất chính của công ty vào quý 1 năm sau, cung cấp nền tảng công suất và tiến trình cho đợt sản xuất quy mô lớn HBM4E tiếp theo.