Cổ phiếu nhóm bộ nhớ bị bán tháo khi SanDisk lao dốc 7%; CXMT công bố kiến trúc DRAM thế hệ mới, nhưng Morningstar cho biết việc thương mại hóa vẫn đối mặt với nhiều rào cản lớn

TradingKey - Vào ngày 12/10 theo giờ miền Đông nước Mỹ, các cổ phiếu bộ nhớ đồng loạt giảm mạnh do thị trường gia tăng lo ngại về kiến trúc DRAM thế hệ mới do nhà sản xuất DRAM Trung Quốc ChangXin Memory Technologies (CXMT) giới thiệu cùng kế hoạch ra mắt các sản phẩm bộ nhớ máy chủ liên quan vào cuối năm, làm dấy lên lo ngại về sự cạnh tranh ngày càng gay gắt trong mảng bộ nhớ máy chủ trong tương lai.

Theo dữ liệu từ công ty nghiên cứu thị trường Counterpoint, dựa trên doanh thu của các nhà cung cấp DRAM toàn cầu, ChangXin Technologies nắm giữ 7% thị phần trong quý 2 năm 2026, xếp thứ tư toàn cầu. Nếu công nghệ này được thương mại hóa thành công, ChangXin dự kiến sẽ giảm chi phí bộ nhớ trên mỗi đơn vị, từ đó gây áp lực lên thị phần và biên lợi nhuận của các nhà cung cấp hiện hữu.

Tính đến thời điểm đưa tin, quỹ Roundhill Memory ETF (DRAM) giảm 4,61%, SanDisk (SNDK) giảm 7,12%, SK Hynix (SKHY) giảm 4,20%, Micron Technology (MU) giảm 4,70%, Seagate Technology (STX) giảm 3,18% và Western Digital (WDC) giảm 2,44%.

Giá cổ phiếu DRAM ETF, Nguồn: TradingView

Chủ tịch ChangXin Memory Technologies, ông Cao Kanyu, vào ngày 10/10 đã tuyên bố rằng công ty dự kiến sẽ ra mắt các sản phẩm DDR5 RDIMM thế hệ mới sử dụng kiến trúc 4F² vào cuối năm nay. Ý nghĩa thương mại của bước tiến này chủ yếu thể hiện ở diện tích ô nhớ. Hiện tại, DRAM phổ biến trên thị trường sử dụng kiến trúc 6F², trong đó F đại diện cho kích thước tính năng tối thiểu trong quy trình sản xuất. Với cùng một giá trị F, việc chuyển từ 6F² sang 4F² về mặt lý thuyết có thể giảm diện tích của một ô nhớ khoảng một phần ba. Chuyên gia phân tích Jing Jie Yu của Morningstar cũng lưu ý rằng cấu trúc mới do ChangXin công bố giúp giảm diện tích ô nhớ khoảng 30%.

Đối với các nhà sản xuất DRAM, diện tích ô nhớ giảm dự kiến sẽ giúp tăng sản lượng bộ nhớ trên mỗi phiến bán dẫn (wafer). Nếu tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn trong sản xuất hàng loạt có thể duy trì ổn định và chi phí quy trình bổ sung không triệt tiêu lợi ích từ việc tăng mật độ, chi phí trên mỗi bit dự kiến sẽ giảm xuống. Do đó, ChangXin có thể có được sự linh hoạt lớn hơn về giá hoặc cải thiện biên lợi nhuận ở cùng mức giá bán.

Một đổi mới then chốt được ChangXin giới thiệu lần này là kiến trúc transistor cổng bao quanh thẳng đứng (Vertical Surround Gate - VSG). Bằng cách cho phép cổng điều khiển dòng điện hiệu quả hơn, cấu trúc này hướng tới mục tiêu giảm dòng rò và hiệu ứng kênh ngắn, trong khi bố cục thẳng đứng giúp giảm diện tích mặt phẳng mà các transistor chiếm dụng. Điều này cung cấp một hướng đi công nghệ mới để DRAM tiếp tục tăng mật độ khi việc thu nhỏ kích thước theo cách truyền thống ngày càng trở nên khó khăn.

Cần lưu ý rằng vẫn còn một khoảng cách giữa đột phá kỹ thuật và thương mại hóa sản xuất hàng loạt thành công. Các nhà phân tích của Morningstar cho rằng ChangXin có thể gặp "cực kỳ khó khăn" khi thương mại hóa cấu trúc này, với những thách thức chính bao gồm tính nhất quán trong sản xuất quy mô lớn. Hiệu suất đạt được trong giai đoạn thử nghiệm hoặc mẫu thử phải được tái tạo một cách ổn định trong sản xuất liên tục để chuyển hóa thành các sản phẩm đạt chuẩn và lợi nhuận thực tế.

Do đó, mặc dù việc ra mắt sản phẩm vào cuối năm là một cột mốc đáng theo dõi, nhưng vẫn chưa thể suy ra rằng ChangXin sẽ đạt được nguồn cung quy mô lớn, chi phí thấp vào thời điểm đó. RDIMM là định dạng module bộ nhớ được sử dụng rộng rãi trong máy chủ, và các yêu cầu vận hành của nó không chỉ bao gồm tốc độ mà còn là sự ổn định liên tục lâu dài, độ tin cậy và khả năng tương thích với các nền tảng máy chủ. Các gã khổng lồ bộ nhớ quốc tế đã tích lũy được lợi thế lớn về khách hàng và kỹ thuật trong lĩnh vực này; để mở rộng thị phần, ChangXin phải vượt qua rào cản kép về sản xuất và sự phê duyệt từ khách hàng.

Đối với các nhà cung cấp DRAM hiện hữu, áp lực tiềm tàng đến từ cả phía chi phí lẫn nguồn cung. Nếu ChangXin đạt được sản lượng sản xuất hàng loạt ổn định và mở rộng nguồn cung, chi phí đơn vị thấp hơn có thể giúp công ty giành được các đơn hàng, trong khi việc bổ sung nguồn cung hiệu quả cũng có thể gây áp lực lên giá DRAM.

Mặt khác, việc đánh giá tác động thực tế từ thông báo của ChangXin đối với nhóm cổ phiếu bộ nhớ đòi hỏi phải xem xét cơ cấu sản phẩm của từng nhà sản xuất. Mức độ cạnh tranh tiềm tàng đối với dòng DDR5 cho máy chủ không thể quy đổi trực tiếp thành tác động tương đương lên mảng kinh doanh HBM. Trong tương lai, yếu tố thực sự quyết định áp lực cạnh tranh chính là tỷ lệ sản xuất hàng loạt thành công, sự phê duyệt của khách hàng và quy mô cung ứng thực tế của ChangXin.