Micron Lên Kế Hoạch Tăng Gấp Đôi Công Suất HBM Hàng Tháng Lên 100.000 Wafer Nhằm Đuổi Kịp Samsung và SK Hynix

TradingKey - Theo các nguồn tin trong ngành được Hãng thông tấn Yonhap dẫn lời vào ngày 4 tháng 9, Micron (MU) có kế hoạch tăng công suất sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM) hàng tháng lên khoảng 100.000 wafer vào cuối năm 2026, gần như gấp đôi quy mô năm ngoái. Nếu đạt được mục tiêu theo đúng kế hoạch, khoảng cách công suất giữa Micron với Samsung Electronics và SK Hynix có thể thu hẹp xuống còn khoảng một nửa so với mức hiện tại.

Trong khi đó, Micron đang đẩy nhanh tiến độ sản xuất quy mô lớn các sản phẩm HBM4 12 lớp thế hệ mới nhất nhằm đáp ứng nhu cầu cho các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo của Nvidia.

Công suất HBM hàng tháng của Micron có thể tăng lên 100.000 wafer

Các nguồn tin trong ngành tiết lộ rằng Micron có kế hoạch bổ sung tới 60.000 wafer công suất HBM hàng tháng. Sản lượng HBM hàng tháng của công ty trong năm ngoái đạt khoảng 40.000 đến 50.000 wafer, và sau khi phần công suất mới đi vào sản xuất, tổng quy mô dự kiến sẽ đạt khoảng 100.000 wafer.

Để đạt được mục tiêu này, Micron đang đặt thêm đơn hàng với một số nhà cung cấp thiết bị sản xuất HBM, trong đó các thiết bị liên quan đang được vận chuyển đến các nhà máy của hãng ở Đài Loan và Singapore. Hiện tại, hoạt động đóng gói HBM của Micron chủ yếu được thực hiện tại nhà máy Tongluo ở Đài Loan và nhà máy Woodlands ở Singapore, trong khi việc đầu tư thiết bị cho nhà máy Hiroshima ở Nhật Bản cũng đang được chuẩn bị.

Đứng sau đợt mở rộng công suất này là nhu cầu bền vững đối với HBM từ các máy chủ AI và bộ tăng tốc AI. Do HBM cung cấp băng thông bộ nhớ cao hơn, nó đã trở thành một thành phần quan trọng trong các hệ thống huấn luyện và suy luận AI tạo sinh. Các nhà sản xuất chip AI, dẫn đầu là Nvidia, tiếp tục mở rộng quy mô thu mua, và thị trường HBM vẫn trong tình trạng thiếu hụt nguồn cung.

Tỷ trọng sản phẩm HBM4 12 lớp dự kiến tăng

Bên cạnh việc mở rộng công suất, Micron cũng đang điều chỉnh cơ cấu sản phẩm HBM. Hiện tại, sản lượng HBM của công ty vẫn chủ yếu là các sản phẩm HBM3E 12 lớp, nhưng tỷ trọng của các sản phẩm HBM4 12 lớp dự kiến sẽ tăng từ mức 20% - 30% vào đầu năm 2026 lên tới 50% vào cuối năm.

Các sản phẩm HBM4 12 lớp được coi là bộ nhớ bổ trợ cho bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo "Vera Rubin" của Nvidia. Micron đã bắt đầu sản xuất quy mô lớn sản phẩm này trong quý 2 năm 2026.

Tổng giám đốc điều hành Micron, ông Sanjay Mehrotra, phát biểu trong cuộc họp báo cáo kết quả kinh doanh quý 3 năm tài chính 2026 vào tháng 6 rằng tốc độ gia tăng sản lượng sản xuất hàng loạt của HBM4 12 lớp nhanh gấp khoảng hai lần so với HBM3E 12 lớp. Tính đến thời điểm đó, doanh thu giao hàng tích lũy của Micron đối với HBM4 đã vượt mốc 1 tỷ USD.

Micron vẫn cần bắt kịp Samsung và SK Hynix

Dù Micron Technology là một trong ba nhà sản xuất HBM hàng đầu thế giới, công suất sản xuất của công ty vẫn thấp hơn đáng kể so với Samsung Electronics và SK Hynix. Các ước tính trong ngành cho thấy Samsung Electronics và SK Hynix mỗi bên sở hữu công suất HBM hàng tháng khoảng 150.000 đến 200.000 tấm wafer, gấp từ ba đến bốn lần quy mô hiện tại của Micron.

Xét về thị phần, dữ liệu từ Counterpoint Research cho thấy trong quý 2 năm 2026 trên thị trường HBM toàn cầu, SK Hynix đứng đầu với 50% thị phần, trong khi Samsung Electronics chiếm 32% và Micron Technology nắm giữ 18%, tiếp tục duy trì ở vị trí thứ ba trong thời gian dài.

Nếu Micron Technology có thể nâng công suất HBM hàng tháng lên khoảng 100.000 tấm wafer vào cuối năm và tăng thành công tỷ trọng sản phẩm HBM4 12 lớp, khoảng cách công suất giữa Micron và hai đối thủ lớn dự kiến sẽ thu hẹp đáng kể. Đối với Micron, đây không chỉ là động thái then chốt để cạnh tranh thị phần HBM, mà còn là bước đi quan trọng trong việc chuyển hóa nhu cầu bộ nhớ AI thành tăng trưởng doanh thu.