Cuộc đối đầu tản nhiệt HBM5: Samsung HPB vs. SK Hynix iHBM, Micron tăng tốc rượt-đuổi

TradingKey - Samsung Electronics đã ra mắt nguyên mẫu bộ nhớ băng thông cao HBM5 thế hệ thứ tám tại Computex 2026 vào thứ Ba và thông báo đã bàn giao các mẫu HBM4E 12 lớp cho khách hàng. SK Hynix, ngay trước thềm hội nghị COMPUTEX, đã công bố công nghệ tản nhiệt khác biệt 'iHBM', với kế hoạch sản xuất hàng loạt HBM5 dự kiến từ năm 2029 đến năm 2030. Micron Technology ( MU) cũng đang đẩy nhanh các nỗ lực bám đuổi. Cuộc cạnh tranh này đang chuyển dịch từ cuộc đua về tốc độ sang cuộc chiến về khả năng tản nhiệt và năng lực đóng gói, và NVIDIA ( NVDA ), với tư cách là khách hàng lớn nhất, sự lựa chọn của công ty này đóng vai trò then chốt.

Samsung Electronics: Công nghệ làm mát "ống khói" HPB sẽ đi vào sản xuất hàng loạt vào năm 2028

Samsung đã trưng bày nguyên mẫu vật lý của HBM5 tại gian hàng của mình. Ông Song Jai-hyuk, Giám đốc Công nghệ (CTO) của công ty, chia sẻ với Reuters: "Khi các hệ thống AI ngày càng trở nên phức tạp, năng lực full-stack tích hợp bộ nhớ, sản xuất chip (foundry) và đóng gói (packaging) sẽ là yếu tố quyết định."

HBM5 sẽ sử dụng quy trình 2nm của Samsung cho phần đế (base die) và giới thiệu công nghệ quản lý nhiệt HPB—một cấu trúc dẫn nhiệt bằng đồng được tích hợp bên trong chip giúp tạo ra các kênh truyền nhiệt độc lập để giảm đáng kể nhiệt trở, điều mà ông ví von một cách sinh động là một "ống khói".

Samsung dự kiến HBM5 sẽ cung cấp các tùy chọn xếp chồng 12 lớp, 16 lớp và 20 lớp, với mục tiêu sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2028.

SK Hynix: Đơn vị đầu tiên ra mắt iHBM, giúp giảm 30% nhiệt trở

Vào ngày 26/5, chỉ một tuần trước khi khai mạc Computex, SK Hynix đã chủ động công bố công nghệ kiểm soát nhiệt độ và tản nhiệt "iHBM", xác định sẽ ứng dụng cho HBM5.

Công nghệ này tích hợp một bộ phận làm mát tích hợp mang tên "ICE" trực tiếp vào vùng D2D PHY — nơi tập trung nhiệt cao nhất — để xây dựng một kênh tản nhiệt chuyên dụng, giúp giảm nhiệt trở hơn 30% so với các giải pháp truyền thống, đồng thời vẫn sử dụng quy trình đóng gói MR-MUF đã hoàn thiện để đảm bảo tính tương thích với các hệ thống hiện có của khách hàng.

Ông Lee Kang-wook, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng bộ phận Phát triển Đóng gói tại SK Hynix, phát biểu: "iHBM kết hợp thiết kế bộ nhớ với công nghệ đóng gói tiên tiến và là giải pháp tối ưu để đạt được mức sinh nhiệt thấp nhất". Tuy nhiên, các phân tích trong ngành cho thấy lộ trình sản xuất hàng loạt HBM5 của SK Hynix được ấn định vào khoảng năm 2029 đến 2030, chậm hơn khoảng một năm so với Samsung.

Chủ tịch Tập đoàn SK Chey Tae-won cho biết trong sự kiện rằng công ty có kế hoạch tăng gấp đôi công suất wafer trong 5 năm tới, đồng thời nhấn mạnh rằng "tình trạng thiếu chip bộ nhớ do AI thúc đẩy sẽ còn tiếp diễn cho đến năm 2030".

Micron tăng tốc bắt kịp, trình làng danh mục sản phẩm lưu trữ AI toàn diện.

Micron Technology đã trưng bày danh mục toàn diện các giải pháp bộ nhớ và lưu trữ tối ưu hóa cho AI tại Computex, bao gồm nhiều dòng sản phẩm như HBM4, LPDDR, DDR, GDDR và SSD cấp doanh nghiệp.

Ông Sumit Sadana, Phó Chủ tịch điều hành của công ty, cho biết: "Hiệu suất hệ thống hiện đang ngày càng được thúc đẩy bởi băng thông và dung lượng bộ nhớ. Sự chuyển dịch cơ cấu này trong hệ sinh thái bán dẫn đã khiến bộ nhớ và lưu trữ trở thành những tài sản chiến lược không thể thiếu."

Đáng chú ý, Micron thông báo rằng toàn bộ năng lực sản xuất HBM cho năm 2026 đã được bán hết và đã nâng dự báo quy mô thị trường HBM lên mức 100 tỷ USD vào năm 2028, sớm hơn hai năm so với dự báo trước đó.

Tại hội nghị GTC vào tháng 3/2026, Micron cũng xác nhận rằng họ đã bắt đầu cung ứng quy mô lớn các sản phẩm HBM4 36GB xếp chồng 12 lớp được thiết kế cho nền tảng Vera Rubin của NVIDIA.

Tính đến hiện tại, NVIDIA, khách hàng lớn nhất của HBM, vẫn chưa đưa ra bình luận công khai nào về hai giải pháp tản nhiệt từ Samsung (HPB) và SK Hynix (iHBM). Theo các nguồn tin, NVIDIA hiện đang thẩm định công nghệ của cả hai công ty và lựa chọn cuối cùng sẽ phụ thuộc vào tỷ lệ thành phẩm sản xuất hàng loạt cũng như hiệu quả tích hợp hệ thống.

Nhìn chung, khả năng tản nhiệt và tỷ lệ thành phẩm đóng gói đã trở thành những điểm nghẽn cốt lõi trong cuộc đua HBM. Bất kỳ bên nào có thể đạt được những bước đột phá đầu tiên trong việc xếp chồng lớp và quản lý nhiệt sẽ giành được các đơn hàng AI thế hệ tiếp theo.