Các gã khổng lồ chip nhớ bao gồm Micron, SK Hynix và SanDisk tăng mạnh: Có nên mua các quỹ ETF DRAM vào lúc này?

TradingKey - Trong tuần qua, ngành chip nhớ một lần nữa trở thành tâm điểm của chứng khoán Mỹ. Vào ngày 13 tháng 8 theo giờ miền Đông, SanDisk (SNDK) đã công bố thông tin tích cực dài hạn tại Ngày hội Nhà đầu tư, giúp cổ phiếu công ty vọt tăng 13,67% trong ngày hôm đó; SK Hynix ADR (SKHY) tăng 7,3%, trong khi Micron Technology (MU), Western Digital (WDC) và Seagate (STX) đều nối gót tăng giá.

Xét theo mức tăng tuần, đợt phục hồi còn ấn tượng hơn nữa. Trong tuần qua (từ ngày 10 đến ngày 14 tháng 8), SanDisk đã tăng lũy kế 35,38%, SK Hynix ADR tăng 20,61% và Micron Technology tăng 10,72%. Hiệu suất tổng thể của ngành chip nhớ vượt xa thị trường chung, trong khi chỉ số Nasdaq chỉ tăng 0,14% trong cùng kỳ.

Roundhill Memory ETF (DRAM) đã phục hồi khoảng 30% từ mức thấp nhất ngày 24 tháng 7 và sự hào hứng đối với thị trường chip nhớ đang ở mức cao. Nhưng đối với các nhà đầu tư, liệu có còn đáng để mua đuổi đà tăng của một quỹ ETF vừa ra mắt vào tháng 4?

[Nguồn: TradingView]

Quỹ ETF DRAM là gì?

Vào ngày 2 tháng 4 năm 2026, Roundhill Investments đã ra mắt quỹ ETF tập trung thuần túy vào mảng bộ nhớ đầu tiên trên thế giới, lấp đầy khoảng trống trong phân ngành chip. Không giống như các quỹ ETF bán dẫn diện rộng, quỹ ETF DRAM đặt ra các tiêu chí lựa chọn cổ phiếu nghiêm ngặt: doanh thu từ mảng kinh doanh bộ nhớ của công ty phải vượt quá 50%, qua đó tránh làm loãng độ thuần khiết của danh mục nắm giữ từ các mảng kinh doanh không cốt lõi như thiết kế chip và sản xuất thiết bị. Sản phẩm áp dụng chiến lược quản lý chủ động với tỷ lệ chi phí 0,65% và tái cân bằng hàng quý.

Danh mục nắm giữ của quỹ ETF có độ tập trung rất cao. Tính đến ngày 16 tháng 8 năm 2026, ba cổ phiếu nắm giữ lớn nhất—Micron Technology (25,42%), Samsung Electronics (25,4%) và SK Hynix (20,44%)—chiếm tổng cộng hơn 70%. Các cổ phiếu thành phần còn lại lần lượt là Seagate, SanDisk, CXMT, Western Digital, Kioxia, Nanya Technology và Winbond Electronics.

[Nguồn: Roundhill Investments]

Những yếu tố nào hỗ trợ đà tăng của DRAM?

Nền tảng của đà tăng giá này là khoảng cách cung-cầu thực chất, chứ không phải hoạt động đầu cơ theo chủ đề. CEO Sanjay Mehrotra của Micron công khai tuyên bố rằng công ty hiện chỉ có thể đáp ứng từ 50% đến hai phần ba nhu cầu từ một số khách hàng chủ chốt, gọi đây là "khoảng cách cung-cầu lớn nhất trong lịch sử".

Giá cả chính là minh chứng trực tiếp nhất cho khoảng cách cung-cầu này. Giá giao ngay của DDR5 (16Gb) đã tăng vọt hơn 4 lần từ tháng 11 năm 2025 đến cuối tháng 6 năm 2026; theo dữ liệu từ TrendForce, giá hợp đồng cho DRAM tiêu chuẩn đã tăng 93% đến 98% so với quý trước trong quý 1 năm 2026 và tiếp tục tăng 53% đến 58% trong quý 2.

Quan trọng hơn, một die HBM đơn lẻ tiêu tốn lượng tài nguyên phiến bán dẫn gấp 3 đến 4 lần so với DDR5 tiêu chuẩn, liên tục làm thu hẹp công suất dành cho DRAM thông thường.

Một số nhà sản xuất đã đưa ra dự báo lợi nhuận cực kỳ lạc quan. SanDisk lưu ý tại Ngày hội Nhà đầu tư rằng họ dự kiến biên lợi nhuận gộp phi GAAP sẽ duy trì ở mức khoảng 80% cho các năm tài chính từ 2028 đến 2030. Ngoài ra, công ty tuyên bố rõ ràng rằng sau khi hoàn thành các khoản đầu tư kinh doanh trong ba năm tới, họ sẽ hoàn trả 100% số tiền mặt còn lại cho các cổ đông.

Xét về mặt định giá, hệ số P/E hiện tại của SanDisk ở mức khoảng 19.51x, có vẻ khá khiêm tốn. Tuy nhiên, đằng sau chỉ số P/E thấp này là mức tăng trưởng lợi nhuận vượt xa đà tăng của giá cổ phiếu. Doanh thu của Micron đã tăng vọt 345.7% so với cùng kỳ năm trước trong quý 3 năm tài chính 2026, trong khi doanh thu quý 4 của SanDisk tăng 372% so với cùng kỳ. Khi lợi nhuận mở rộng với tốc độ như vậy, chỉ số P/E trượt về mặt hệ thống sẽ luôn đi sau các yếu tố nền tảng.

Những rủi ro đáng chú ý của các quỹ ETF DRAM là gì?

Rủi ro tập trung là rủi ro hàng đầu. Tính đến ngày 16 tháng 8 năm 2026, ba khoản đầu tư lớn nhất của quỹ ETF DRAM là Samsung Electronics, Micron và SK Hynix, cùng nhau chiếm hơn 70%. Một khi luận điểm đầu tư vào ngành bộ nhớ bị đảo ngược, mức sụt giảm giá trị tài sản ròng (NAV) cũng sẽ nghiêm trọng tương tự. Ngoài ra, tổng tỷ trọng của Samsung và SK Hynix chiếm gần một nửa, khiến quỹ phải đối mặt với rủi ro tỷ giá đồng won Hàn Quốc.

Sự phân hóa trong kỳ vọng về chu kỳ cũng là yếu tố không thể bỏ qua. Goldman Sachs (GS) dự báo tình trạng cung cầu căng thẳng sẽ kéo dài đến hết năm 2028, trong khi BOCOM International ước tính tình trạng này sẽ kéo dài ít nhất đến quý 4 năm 2027; tuy nhiên, Morgan Stanley (MS) kỳ vọng mức tăng trưởng so với cùng kỳ của giá hợp đồng DRAM sẽ đạt đỉnh vào quý 4 năm 2026. Tốc độ tăng trưởng đạt đỉnh không đồng nghĩa với việc giá giảm, nhưng thị trường thường phản ánh trước những thay đổi về kỳ vọng.

Bên cạnh đó, bản thân biến động của ETF cũng là một yếu tố không thể bỏ qua. Sau khi đạt mức 81,34 USD vào ngày 22 tháng 6, quỹ ETF đã chịu mức sụt giảm tối đa gần 35% vào cuối tháng 7. Việc tái cân bằng danh mục của đội ngũ quản lý vào đầu tháng 8 cũng phát đi tín hiệu thận trọng: trong khi bổ sung ChangXin Technologies, quỹ đã giảm vị thế nắm giữ tại Samsung Electronics khoảng 3 triệu cổ phiếu trong ba phiên giao dịch liên tiếp, thu về khoảng 432 triệu USD.

Có nên mua các quỹ ETF DRAM ngay lúc này?

Đối với các nhà đầu tư chiến thuật vốn quen thuộc với nhịp điệu của ngành bộ nhớ và có khả năng chấp nhận biến động cao, quỹ DRAM ETF vẫn là một lựa chọn có hệ số beta cao được ưu tiên. Luận điểm cốt lõi là việc AI chiếm dụng công suất mang tính cấu trúc, và việc công suất đã được bán hết cho đến hết năm 2027 tạo ra một mức sàn lợi nhuận. Một giải pháp an toàn hơn là tích lũy vị thế theo từng đợt thay vì mua đuổi tất cả cùng một lúc. Ngoài ra, báo cáo kết quả kinh doanh quý 4 năm tài chính 2026 của Micron đang đến gần, và việc kết quả có đạt kỳ vọng hay không sẽ trực tiếp tác động đến xu hướng ngắn hạn của cổ phiếu này.

Đối với các nhà đầu tư tìm kiếm sự phân bổ danh mục ổn định và dài hạn, hiện tại chưa chắc đã là điểm vào lệnh tốt nhất. Quỹ ETF này đã phục hồi khoảng 30% từ mức đáy tháng 7, với các yếu tố hỗ trợ ngắn hạn phần nào đã được thị trường phản ánh vào giá; cảnh báo của Morgan Stanley về việc tăng trưởng đạt đỉnh đang tồn tại song song với triển vọng lạc quan của Goldman Sachs cho năm 2028, cho thấy mức độ biến động lớn vẫn còn ở phía trước.

Luận điểm trung và dài hạn về siêu chu kỳ ngành bộ nhớ nhiều khả năng vẫn còn nguyên vẹn, nhưng khoảng cách giữa 'chu kỳ chưa kết thúc' và 'mua ngay lúc này là hợp lý' chính là mức giá vào lệnh. Về bản chất, DRAM ETF là một công cụ mà giá trị của nó phụ thuộc phần lớn vào thời điểm tham gia và khả năng chấp nhận rủi ro của người dùng.