Cuộc đình công tại Samsung đối mặt với sự lôi kéo nhân sự từ Micron. Micron chiêu mộ nhân tài HBM tại Hàn Quốc: Liệu doanh nghiệp có thể nắm bắt cơ hội để tái thiết lập cục diện ngành bộ nhớ?

TradingKey - Vào thứ Năm, ngày 21 tháng 5, Samsung thông báo rằng phía công đoàn và ban lãnh đạo đã đạt được một thỏa thuận sơ bộ, bao gồm các điều khoản mà theo đó ban lãnh đạo sẽ trích 10,5% kết quả kinh doanh của công ty làm nguồn chi trả cho các khoản tiền thưởng không giới hạn mức trần. Samsung Electronics cho biết trong một tuyên bố rằng họ sẽ tạm dừng kế hoạch đình công vốn dự kiến diễn ra từ ngày 21 tháng 5 đến ngày 7 tháng 6.

Tuy nhiên, thỏa thuận sơ bộ này đã vấp phải sự phản đối từ các nhóm cổ đông, những người tuyên bố rằng thỏa thuận này được hoàn tất mà không có nghị quyết từ Đại hội đồng cổ đông và không có giá trị pháp lý.

Trong khi đó, các đơn vị truyền thông như Business Korea đưa tin rằng Micron (MU) gần đây đã triển khai đợt tuyển dụng cho các vị trí thiết kế HBM tại Hàn Quốc, có thể nhằm mục đích thu hút các nhân tài bán dẫn có khả năng sẽ rời Samsung trong bối cảnh quan hệ lao động căng thẳng; động thái này được coi là nỗ lực của Micron nhằm bắt kịp các đối thủ trong lĩnh vực HBM4.

Nhiều vị trí được Micron đăng tuyển gần đây tại Hàn Quốc chủ yếu tập trung vào hoạt động R&D HBM thế hệ tiếp theo, nhằm phát triển các giải pháp HBM cho AI, học máy và các ứng dụng tính toán hiệu năng cao. Công việc bao gồm thiết kế mạch DRAM, tối ưu hóa năng lượng - diện tích - tốc độ, đánh giá kiến trúc và xác minh chức năng, cũng như R&D các công nghệ cốt lõi như xếp chồng 3D dựa trên lỗ xuyên silicon (TSV), tối ưu hóa điện năng và các giao diện tốc độ cao.

Các phân tích cho thấy mong muốn chiêu mộ nhân tài Samsung của Micron chủ yếu là nhằm bắt kịp tiến độ vốn đang bị tụt hậu trong cuộc đua HBM4.

Bỏ lỡ các đơn hàng đầu tiên cho dòng chip NVIDIA Rubin: HBM4 của Micron đã vấp phải rào cản nào?

Lý do chính khiến Micron bị tụt hậu trong nhóm "Bộ ba quyền lực" (Big Three) về HBM là việc bỏ lỡ đợt đơn hàng đầu tiên cho các dòng sản phẩm của NVIDIA (NVDA) dùng kiến trúc Rubin mới nhất; các sản phẩm HBM4 cốt lõi của hãng đã không vượt qua được đợt kiểm định chất lượng ban đầu của NVIDIA, dẫn đến việc các đơn hàng bị chia cho SK Hynix và Samsung.

Tuy nhiên, điều này không phải do Micron lạc hậu về công nghệ, mà là vì công ty đã chọn tự thiết kế các đế chip (base dies) DRAM và HBM4 của riêng mình. SK Hynix đã lựa chọn quy trình của TSMC (TSM) tiên tiến, trong khi Samsung sở hữu các xưởng đúc chip riêng. Điều này khác với cách tiếp cận "bắt đầu từ con số không" của Micron, khiến hãng bị tụt hậu đáng kể so với các đối thủ về độ chính xác của quy trình sản xuất HBM4.

Hiện tại, theo thông tin từ các lãnh đạo của Micron, công ty có kế hoạch nộp lại giải pháp HBM4 đã được tối ưu hóa để kiểm định chất lượng vào quý 2/2026 và đặt mục tiêu mở rộng quy mô sản xuất với tỷ lệ thành phẩm cao trong nửa cuối năm 2026 nhằm giành lại thị phần trong phân khúc chip AI tầm trung và các phiên bản tiếp theo của kiến trúc Rubin.

Liệu Micron có thể nắm bắt cơ hội để bắt kịp Samsung?

Quyết định tuyển dụng nhân sự Hàn Quốc của Micron trong bối cảnh cuộc đình công tại Samsung có thể mang lại luồng sinh khí mới cho hoạt động R&D chip HBM của hãng, từ đó củng cố năng lực cạnh tranh trong dài hạn; tuy nhiên, việc vượt qua Samsung trong ngắn hạn vẫn còn rất khó khăn. Vấn đề lớn nhất mà Micron đang phải đối mặt hiện nay là sau khi bỏ lỡ các đơn đặt hàng ban đầu của Nvidia, hãng hiện đang tụt hậu so với Samsung và SK Hynix với khoảng cách chu kỳ phát triển khoảng 9 tháng. Chừng nào Samsung còn duy trì tiến độ ổn định trong giai đoạn tiếp theo, Micron sẽ gặp nhiều thách thức trong việc thu hẹp khoảng cách ngay lập tức, trừ khi có những tình huống bất ngờ xảy ra. Hơn nữa, năng lực sản xuất HBM của Micron thấp hơn đáng kể so với hai đối thủ Hàn Quốc, khiến hãng không thể đáp ứng nhu cầu bộ nhớ đang tăng vọt hiện nay.

Về lâu dài, Micron được kỳ vọng sẽ đạt được bước đột phá thông qua chiến lược cạnh tranh khác biệt với hai đối thủ của mình. Micron dẫn trước đáng kể so với Samsung và SK Hynix về khả năng kiểm soát tiêu thụ điện năng và công nghệ tản nhiệt, vốn là những điểm nhấn kỹ thuật mà Nvidia coi trọng nhất. Micron là đơn vị đầu tiên phát triển chip nhớ (die) DRAM 24Gb; trong khi đó, HBM đạt được dung lượng cao nhờ xếp chồng nhiều lớp các chip DRAM này. Chip nhớ DRAM 24Gb của Micron chỉ cần xếp chồng 8 lớp để đạt được dung lượng tương đương mức mà các đối thủ cần tới 12 lớp, điều này chắc chắn giúp giảm bớt sự phức tạp về cấu trúc cho Micron. Bằng cách thu hút nhân tài từ Samsung, Micron đang sẵn sàng tích hợp kinh nghiệm của các đối thủ để xây dựng một 'hào kinh tế' công nghệ vững chắc hơn.