Bước tiến của CXMT trong kiến trúc DRAM mới dấy lên lo ngại trên thị trường khi Elon Musk cho rằng năng lực sản xuất quy mô lớn của Trung Quốc có thể tái định hình cục diện ngành DRAM

TradingKey - Lo ngại trên thị trường đang gia tăng khi nhà sản xuất DRAM Trung Quốc ChangXin Memory Technologies (CXMT) thúc đẩy các kiến trúc bộ nhớ mật độ cao hơn, trong bối cảnh các nhà đầu tư bắt đầu đánh giá lại tác động tiềm tàng của các nhà sản xuất Trung Quốc đối với nguồn cung, giá cả và thị phần DRAM truyền thống.

Tesla (TSLA) và SpaceX (SPCX), nhà sáng lập Elon Musk phát biểu trên nền tảng mạng xã hội X rằng một khi Trung Quốc làm chủ quy trình sản xuất một sản phẩm, khả năng mở rộng quy mô của nước này vượt xa phần còn lại của thế giới. Dẫn chứng pin lithium-ion và các sản phẩm năng lượng mặt trời làm ví dụ, ông lưu ý rằng Trung Quốc nắm giữ lợi thế rõ rệt về quy mô sản xuất; SpaceX là một ngoại lệ hiếm hoi, khi Mỹ vẫn vượt xa phần còn lại của thế giới về khối lượng tải trọng đưa lên quỹ đạo trong các đợt phóng tên lửa.

Ông Musk lưu ý thêm rằng các chip bộ nhớ có thể đi theo quỹ đạo tương tự. Ông chỉ ra rằng RAM vẫn được coi là một hàng hóa có biên lợi nhuận thấp chỉ vài năm trước, và thiết kế chuẩn hóa của các sản phẩm như LP5 và LP6 tự nhiên mang lại lợi thế cho việc sản xuất quy mô lớn ở các nhà sản xuất khác nhau. Nếu các nhà sản xuất Trung Quốc có thể nhanh chóng giải quyết các thách thức về sản xuất và tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn, cục diện cạnh tranh của thị trường RAM truyền thống có thể trải qua những thay đổi lớn hơn nữa.

Những bình luận này được đưa ra trong bối cảnh ChangXin Memory Technologies (CXMT) đang đẩy nhanh việc phát triển kiến trúc DRAM thế hệ tiếp theo. Công ty cho biết họ dự kiến sẽ ra mắt các sản phẩm DDR5 RDIMM thế hệ tiếp theo sử dụng kiến trúc 4F² vào cuối năm 2026. So với kiến trúc 66F² chủ đạo hiện nay, 4F² giảm diện tích ô nhớ của một đơn vị lưu trữ bộ nhớ, về mặt lý thuyết giúp chứa được nhiều đơn vị lưu trữ hơn trên một tấm wafer đơn lẻ.

[Nguồn: X]

Đối với các nhà sản xuất DRAM, giá trị cốt lõi của công nghệ này không chỉ nằm ở việc tăng dung lượng mà còn ở việc cải thiện cấu trúc chi phí. Nếu CXMT có thể duy trì tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn ổn định trong quá trình sản xuất quy mô lớn, sản lượng bit hiệu dụng trên mỗi tấm wafer dự kiến sẽ tăng lên, từ đó giảm chi phí sản xuất trên mỗi bit. Điều này có thể mang lại cho công ty sự linh hoạt hơn trong cạnh tranh về giá hoặc cải thiện biên lợi nhuận ở cùng một mức giá bán.

Tuy nhiên, những nhận định của ông Musk cũng phản ánh rằng thị trường đang có sự phân hóa giữa các loại sản phẩm bộ nhớ khác nhau. Ông tin rằng RAM truyền thống có độ chuẩn hóa cao hơn, nơi năng lực sản xuất và mở rộng công suất có thể là chìa khóa cạnh tranh. Ngược lại, HBM thế hệ tiếp theo, cũng như các kiến trúc có SRAM nằm dưới mạch logic hoặc xếp chồng 3D bộ nhớ lên trên các chip logic, vẫn phải đối mặt với những thách thức lớn hơn về tích hợp và quản lý nhiệt.